Etude capacitive de la quantification en niveaux de Landau dans une hétérostructure GaAs/GaAlAs : Effet de la polarisation / Michel Garcia ; sous la direction de G. Bastide

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium -- Propriétés magnétiques

Champs magnétiques

Gaz d'électrons

Université des sciences et techniques de Montpellier 2 (1970-2014) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Collection : Lille-thèses / Atelier de reproduction des thèses / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 1983-2017

Relation : Etude capacitive de la quantification en niveaux de Landau dans une hétérostructure GaAs/GaAlAs : Effet de la polarisation / Michel Garcia ; sous la direction de G. Bastide / [S.l.] : [s.n.] , [1996]

Résumé / Abstract : Ce travail porte sur l'etude d'un systeme bidimensionnel, resultant du fort confinement des electrons a l'interface d'une heterojonction gaas/gaalas. Sous l'influence d'un champ magnetique, parallele a l'axe de croissance de la structure, il y a quantification totale de gaz 2d, conduisant a la formation de niveaux de landau. Experimentalement, ceci se traduit par des oscillations de magnetocapacite. Ces mesures de capacite permettent d'avoir acces a la population totale du puits et meme a la densite d'etats. Une augmentation de la tension de polarisation appliquee a la structure entraine un accroissement de la densite d'electrons dans le puits. Pour les valeurs negatives, un second systeme d'oscillations est observe. Les considerations experimentales, associees a une modelisation du profil de potentiel en fonction de la polarisation, permettent de montrer que ce systeme n'est pas du au remplissage d'un second niveau du puits, mais a une seconde zone de confinement situee dans le gaalas