Date : 1996
Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , [1996]
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Semiconducteurs à l'arséniure de gallium -- Propriétés magnétiques
Résumé / Abstract : CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE D'UN SYSTEME BIDIMENSIONNEL, RESULTANT DU FORT CONFINEMENT DES ELECTRONS A L'INTERFACE D'UNE HETEROJONCTION GAAS/GAALAS. SOUS L'INFLUENCE D'UN CHAMP MAGNETIQUE, PARALLELE A L'AXE DE CROISSANCE DE LA STRUCTURE, IL Y A QUANTIFICATION TOTALE DE GAZ 2D, CONDUISANT A LA FORMATION DE NIVEAUX DE LANDAU. EXPERIMENTALEMENT, CECI SE TRADUIT PAR DES OSCILLATIONS DE MAGNETOCAPACITE. CES MESURES DE CAPACITE PERMETTENT D'AVOIR ACCES A LA POPULATION TOTALE DU PUITS ET MEME A LA DENSITE D'ETATS. UNE AUGMENTATION DE LA TENSION DE POLARISATION APPLIQUEE A LA STRUCTURE ENTRAINE UN ACCROISSEMENT DE LA DENSITE D'ELECTRONS DANS LE PUITS. POUR LES VALEURS NEGATIVES, UN SECOND SYSTEME D'OSCILLATIONS EST OBSERVE. LES CONSIDERATIONS EXPERIMENTALES, ASSOCIEES A UNE MODELISATION DU PROFIL DE POTENTIEL EN FONCTION DE LA POLARISATION, PERMETTENT DE MONTRER QUE CE SYSTEME N'EST PAS DU AU REMPLISSAGE D'UN SECOND NIVEAU DU PUITS, MAIS A UNE SECONDE ZONE DE CONFINEMENT SITUEE DANS LE GAALAS