Etude statistique de l'énergie dans les circuits intégrés CMOS-FDSOI : caractérisation et optimisation / Rida Kheirallah ; sous la direction de Nadine Azemard-Crestani

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Technologie silicium sur isolant

MOS (électronique)

Transistors MOSFET

Azemard-Crestani, Nadine (1963-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Cathébras, Guy (19..-....) (Président du jury de soutenance / praeses)

Wilson, Robin (Rapporteur de la thèse / thesis reporter)

Belleville, Marc (Rapporteur de la thèse / thesis reporter)

Amara, Amara (Membre du jury / opponent)

Nouet, Pascal (Membre du jury / opponent)

Ducharme, Gilles (1955-.... ; mathématicien) (Membre du jury / opponent)

Université de Montpellier (2015-2021) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

École Doctorale Information, Structures, Systèmes (Montpellier ; 2015) (Ecole doctorale associée à la thèse / doctoral school)

Laboratoire d'informatique, de robotique et de micro-électronique (Montpellier ; 1992-....) (Laboratoire associé à la thèse / thesis associated laboratory)

Résumé / Abstract : Pour les nœuds technologiques avancés, la consommation statique des circuits intégrés est devenue un facteur essentiel de l'industrie microélectronique. L'efficacité énergétique des circuits est mesurée en fonction de leur performance et en fonction de leur consommation statique. Face à l'augmentation de la variabilité des paramètres physiques et environnementaux, la technologie silicium sur isolant complètement désertée (FD-SOI : Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) permet de prolonger la loi de Moore dans le domaine nanométrique. Dans ce mémoire une étude statistique de l'énergie des circuits intégrés CMOS-FDSOI est réalisée. Des bibliothèques statistiques qui caractérisent le délai et la puissance statique des transistors CMOS-FDSOI sont mises en place. Compte tenu des avantages liés à la technologie FDSOI, des approches statistiques basées sur les bibliothèques sont appliquées pour estimer le délai et la puissance statique. En conservant l'exactitude de l'estimation, ces approches apportent un gain important en temps CPU. Suite à l'estimation du délai et de la puissance statique, les variations énergétiques des transistors CMOS-FDSOI sont étudiées en fonction de la tension d'alimentation et en fonction de la tension de polarisation. Ainsi, grâce à la détermination d'un compromis Délai-Puissance Statique efficace et l'élaboration d'un flow d'optimisation statistique, l'énergie statique d'un circuit a pu être optimisée.

Résumé / Abstract : For advanced technology nodes, static consumption of integrated circuits has become a key factor for the microelectronics industry. Circuit energy efficiency is measured in terms of performance and static consumption. With the increase of physical and environmental parameters, the Fully-Depleted Silicon-on-Insulator technology allows to extend Moore's law in the nanometer domain. In this work, a statistical study of CMOS-FDSOI integrated circuit energy is carried out. Statistical libraries characterizing delay and static power of CMOS-FDSOI transistors are presented. Given the advantages of the FDSOI technology, statistical approaches based on the libraries are applied in order to estimate delay and static power. While maintaining the accuracy of the estimations, these approaches provide a significant gain in CPU time. Following delay and static power estimation, CMOS-FDSOI transistors energy variations are considered according to supply voltage and voltage body biasing. Thus, by determining an efficient Delay-Static Power compromise and the development of a statistical optimization flow, static energy of a circuit has been optimized.