Influence de divers additifs ou impuretés, principalement l'aluminium, sur les conditions de formation du compose Cu3Si au cours de la réaction du silicium avec le chlorure cuivreux : rôle de l'épaisseur de la couche de silice sur la réactivité d’une face (100) du silicium / par Dominique Viale ; [sous la direction de] B. Gillot,…

Date :

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 1988

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Catalogue Worldcat

Cuivre -- Composés

Gillot, Bernard (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université de Bourgogne (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Résumé / Abstract : L’étude des conditions de formation du composé Cu3Si au cours de la réaction d'une face Si(100) avec le chlorure cuivreux gazeux ou liquide, ou lors de la réaction d'un mélange en poudre de silicium avec le chlorure cuivreux, a montré que l'aluminium en impureté dans le silicium, ou ajoute sous forme de chlorure à CuCl, accélère la formation de Cu3Si. De plus, le fer combiné à l’aluminium ralentit la transformation de Cu3Si en cuivre, ce qui a pour effet de maintenir une fraction massique de Cu3Si élevé tout au long de la réaction. La silice toujours présente à la surface des monocristaux de silicium joue un rôle déterminant sur la germination du composé Cu3Si, qui s’effectue par l’intermédiaire des défauts de cette couche protectrice. Une diminution de l’épaisseur de la couche de silice accélère la germination de Cu3Si