Étude des mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de structures minces silicium-sur-isolant par les procédés SIMOX Faible Dose et Smart-Cut® / Caroline Guilhalmenc ; sous la direction de Sorin Cristoloveanu

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Catalogue Worldcat

Technologie silicium sur isolant

Recuit des métaux

Cristoloveanu, Sorin (19..-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Gentil, Pierre (19..-.... ; microélectonicien) (Président du jury de soutenance / praeses)

Stoemenos, Yannis (19..-....) (Rapporteur de la thèse / thesis reporter)

Pichaud, Bernard (1947-...) (Rapporteur de la thèse / thesis reporter)

Auberton-Hervé, André-Jacques (19..-....) (Membre du jury / opponent)

Moriceau, Hubert (19..-....) (Membre du jury / opponent)

Institut national polytechnique (Grenoble) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble) (Laboratoire associé à la thèse / thesis associated laboratory)

Laboratoire d'électronique, de technologie et d'instrumentation. Département d'électronique et d'instrumentation nucléaire (France) (Laboratoire associé à la thèse / thesis associated laboratory)

Résumé / Abstract : Les matériaux silicium-sur-isolant (SOI) présentent de nombreux avantages pour la production de nouvelles générations de circuits intégrés fonctionnant à très basses tensions. Ils constituent désormais l’une des voies principales de recherche dans le domaine de la micro-électronique à très grande densité d’intégration. Pour cela, il est nécessaire de mettre au point des technique permettant d’obtenir des matériaux SOI de bonne qualité, capables de rivaliser avec le silicium massif. Les mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de deux types de substrats SOI, SIMOX Faible Dose et UNIBOND® (obtenus respectivement par les techniques SIMOX et Smart-Cut®), ont été étudiés. Après implantation de faibles doses d’oxygène (technique SIMOX), la formation de couches enterrées d’oxydes au cours du recuit à haute température a été appréhendée. L’étude des mécanismes de croissance et de coalescence des précipités d’oxydes à haute température a permis d’améliorer la qualité diélectrique des couches enterrées de silice. Enfin, une étude systématique des défauts (dislocations, fautes d’empilement) et des propriétés électriques des films de silicium de ces deux matériaux, a été menée par différentes techniques de caractérisation. Elle constitue la première synthèse comparative des qualités de ces matériaux SOI, qui présentent actuellement un fort potentiel pour la réalisation de circuits intégrés très performants

Résumé / Abstract : Silicon on insulator materials are very attractive for the production of new generation circuits for low voltage applications. To face the bulk silicon industry and to respond to the increasing interest for the ultra large scale integration, techniques for the formation of high quality SOI material are required. Defect generation mechanisms during the synthesis of two SOI substrates, Low Dose SIMOX and UNIBOND® (elaborated with the SIMOX and Smart-Cut® techniques, respectively), have been investigated. After low dose oxygen implantation (SIMOX process), the formation of buried oxide layers during high temperature annealing has been studied. The buried oxide dielectric quality has been improved with the understanding of oxide precipitate growth and ripening mechanism. Finally, a systematic study has been performed on the top silicon films in order to characterize the crystalline defects (dislocations, stacking faults) and the electrical properties of these two materials. This corresponds to the first results concerning the comparison of these new promising SOI materials for the production of high performance integrated circuits