Influence des défauts sur le courant induit par un faisceau d'électrons dans CdTe / Brigitte Sieber ; [sous la direction de Jean] Philibert

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Langue / Language : anglais / English

Microscopie électronique à balayage

Philibert, Jean (19..-.... ; physicien) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université Paris-Sud (1970-2019) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (Autre partenaire associé à la thèse / thesis associated third party)

Résumé / Abstract : Ce travail présente une étude quantitative du contraste en mode induit, dans un microscope électronique à balayage, de dislocations fraîches (introduites par microdureté Vixkers) et de défauts de croissance dans CdTe non dopé intentionnellement (n ≈ 10¹⁵ - 10¹⁶/cm³). Le contraste c% est recueilli expérimentalement pour différentes valeurs de la tension d’accélération des électrons E₀. Les expériences montrent que les processus de recombinaison associés aux dislocations sont efficaces dans la zone de charge d’espace d’une barrière de Schotkky et dans la zone de diffusion ; les courbes expérimentales c% = f (E₀) sont alors ajustées pour une analyse théorique tenant compte des contributions de ces deux zones. La comparaison des courbes expérimentales et théoriques permet d’assimiler le rayon du cylindre – par lequel est schématisée la dislocation – à la longueur d’écran du matériau. La simulation théorique du contraste de précipités, couplée à celle de dislocations perpendiculaires à la surface permet d’établir des tests de caractérisation de CdTe.

Résumé / Abstract : In this work we prensent a quantitative study of the EBIC contrast of freshly introduced dislocations (by Vickers microhardness and of grown in defects in intentionnaly undoped CdTe (n ≈ 10¹⁵ - 10¹⁶/cm³); the experiments are performed in a scanning electron microscope, and the contrast c% is collected as a function of the accelerating voltage. It is shown that recombination processes at dislocations are efficient in the space charge region of a Schottky barrier as well as in the diffusion region; the theoretical curves c% = f (E₀) are fitted to be experimental ones, and they take into account the contributions of recombination in both regions. By comparing the experimental and the theoretical curves, we suggest that the radius of the cylinder – by which the dislocation is schematized- is the screening length of the material. By theoretical simulation of the contrast of precipitates and of dislocations perpendicular to the surface, characterization tests of CdTe are established.