Caractérisation des défauts par attaque chimique dans les couches minces épitaxiales de silicium / Riad Kharouf

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Catalogue Worldcat

Couches minces

Silicium

Épitaxie

Université Paris-Sud (1970-2019) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (Autre partenaire associé à la thèse / thesis associated third party)

Résumé / Abstract : Une technique de révélation de défauts par attaque chimique dans le silicium (dislocations, fautes d’empilement et S-pits) a été présentée et appliquée à l’étude des couches minces épitaxiales de Si élaborées par pulvérisation ionique. La présence d’une densité importante de défauts dans les couches est corrélée à la préparation in-situ du substrat (nettoyage thermique ou décapage ionique) et des conditions d’épitaxie.