Interaction entre différents plasmas multipolaires et les surfaces de silicium (1,1,1) et d'arséniure de gallium (1,0,0) : contribution à l'étude physicochimique de l'interface diélectrique semiconducteur / Yves Demay

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Arséniure de gallium

Silicium

Nitrures

Ellipsométrie

Université Paris-Sud (1970-2019) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (Autre partenaire associé à la thèse / thesis associated third party)

Résumé / Abstract : Cette thèse est une contribution à l'étude de l'interface entre un semiconducteur et un diélectrique. Des traitements par plasma multipolaires des faces (1, 1, 1) du silicium ou (1, 0, 0) de l'arséniure de gallium ont été réalisés. La création de l'interface entre le semiconducteur et un diélectrique a été observée in situ au moyen des techniques d'ellipsométrie spectroscopique, de spectroscopie d'électrons secondaires (Auger), et de diffraction d'électrons rapides en incidence rasante (RHEED). On a pu mettre en évidence la formation d'une couche de transition (9 Å) entre le silicium cristallin et le nitrure de silicium. On a étudié la possibilité d'obtenir par plasma une surface propre de GaAs (1, 0, 0). L'amélioration des propriétés électriques de l'interface GaAs diélectrique par nettoyage complet et nitruration a été montrée.

Résumé / Abstract : This thesis is a contribution to the study of the interface between a semiconductor and a dielectric. Multipolar plasma treatments of silicon (1, 1, 1) and gallium arsenide (1, 0, 0) surfaces were made. The creation of the interface between the semiconductor and the dielectric was observed in situ with spectroscopic ellipsometry, secondary electrons spectroscopy (Auger), and reflexion high energy electrons diffraction (RHEED). The formation of a transition layer (9 Å thick) between crystalline silicon and silicon nitride was demonstrated. We studied the possibility of cleaning a (1, 0, 0) GaAs surface using a multipolar plasma. Some improvement of the electrical properties of the GaAs-dielectric interface by complete cleaning and nitridation is obtained.