Date : 1988
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Circuits intégrés à très grande échelle
Résumé / Abstract : LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES MOTIFS DANS LES CIRCUITS VLSI A ENTRAINE LE REMPLACEMENT PARTIEL DU SILICIUM POLYCRISTALLIN UTILISE COMME MATERIAU DE GRILLE PAR DES SILICIURES DE METAUX REFRACTAIRES OU DE TRANSITION, QUI SONT MOINS RESISTIFS. UNE ETUDE APPROFONDIE A ETE EFFECTUEE SUR LA RESOLUTION EN PROFONDEUR DE LA TECHNIQUE RBS, QUI EST UNE METHODE TRES ADAPTEE A LA CARACTERISATION DES SILICIURES. ENSUITE, DES ANALYSES COMPARATIVES DE CONSTRUCTION ONT ETE REALISEES SUR PLUSIEURS MEMOIRES DRAM COMPORTANT UN SILICIURE. LE SILICIURE DE TITANE, TISI2, A ETE ELABORE PAR TROIS DIFFERENTES TECHNIQUES ET LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DE CES COUCHES ONT ETE COMPAREES. DES RESISTIVITES DE L'ORDRE DE 13-16 MICRO-OHMS CENTIMETRES ONT ETE OBTENUES PAR CES METHODES DE DEPOT SUIVIES D'UN RECUIT RAPIDE