Date : 1987
Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , [1987]
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Circuits intégrés -- Passivation
Résumé / Abstract : ON UTILISE LA SULFURATION ASSISTEE PAR PLASMA HF POUR LA PASSIVATION DU INP A BASSE TEMPERATURE CAR L'INTERFACE N'EST THERMOCHIMIQUEMENT STABLE QUE SI ELLE EST FORMEE AU DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE 315**(O)C. ON DEMONTRE LE CARACTERE DUALISTE DES MECANISMES DE CROISSANCE ET DE BOMBARDEMENT IONIQUE D'UNE COUCHE DE SULFURE AU CONTACT D'UNE DECHARGE ELECTROLUMINESCENTE DE H::(2)S. DES MODELES, RESULTANT DE CARACTERISATIONSPAR SPECTROSCOPIE XPS, ELLIPSOMETRIE, ECT., SONT PROPOSES POUR RENDRE COMPTE DE LA COMPOSITION DES COUCHES DE SULFURE FORMEES EN FONCTION DES CONDITIONS DE PLASMA HF DE H::(2)S. ON ETUDIE LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SULFURE PLASMA INP SUR DES STRUCTURES MIS EN VUE DE LA REALISATION DE TRANSISTORS MISFET-INP