Date : 1986
Editeur / Publisher : [Montpellier] : Atelier duplication U.S.T.L , [1986]
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : anglais / English
Langue / Language : français / French
Semiconducteurs -- Effets des rayonnements
Résumé / Abstract : ETUDE DES FACTEURS D'ABSORPTION ASSOCIES AUX TRANSITIONS BANDE DE VALENCE DEFAUT OU BANDE DE CONDUCTION DEFAUT DES NIVEAUX H::(3), H::(4), H::(5), H::(7) ET E::(11) DANS INP IRRADIE AUX ELECTRONS. L'INTERPRETATION PAR DIAGRAMMES DE COORDONNEE DE CONFIGURATION MONTRE QU'APRES CAPTURE D'UN PORTEUR LIBRE, LA RELAXATION DE RESEAU DECROIT DE H::(7) A H::(5) ET A L'ENSEMBLE H::(3)-H::(4)-E::(11). LES ABSORPTIONS ASSOCIEES A LA TRANSITION BANDE DE VALENCE -H::(3) ET BANDE DE VALENCE -H::(4) ONT UNE VARIATION SPECTRALE SINGULIERE ATTRIBUEE A UN TRANSFERT DE "TROU" VERS LES 4 MINIMAS EQUIVALENTS EN L DE LA BANDE DE VALENCE. CETTE SIMILITUDE DE PROPRIETES EST EN ACCORD AVEC L'HYPOTHESE SELON LAQUELLE LE PASSAGE DE H::(3) A H::(4) CORRESPONDRAIT A UNE FAIBLE PERTURBATION D'UN MEME DEFAUT PONCTUEL V::(P) - P::(I) OU V::(P) - X