Croissance de GaSb et de ses alliages par épitaxie par jets moléculaires et étude des propriétés physiques des surfaces, interfaces et structures élaborées avec ces matériaux / par Fabio Wellington Orlando da Silva ; sous la direction de Claude Raisin

Résumé / Abstract : Cette these presente des travaux sur la croissance par epitaxie par jets moleculaires (ejm) et la caracterisation des proprietes physiques des composes semi-conducteurs gasb et ga(al)sb. Nous avons etudie: a) la preparation des substrats gasb(001) en vue de l'epitaxie; b) les proprietes des surfaces gasb et alsb(001); c) la croissance du gasb sur gaas(001); d) l'elaboration et l'etude des proprietes optiques et structurales de puits quantiques et superreseaux a base de gasb/ga(al)sb