Date : 2009
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Lasers à semiconducteur -- Dissertation universitaire
Collection : Lille-thèses / Atelier de reproduction des thèses / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 1983-2017
Résumé / Abstract : Ce travail de thèse concerne la modélisation, la réalisation et la caractérisation de diodes lasers à cascade quantique pour des applications du moyen infrarouge dans la plage de longueur d'onde 3 µm - 5 µm. Les structures ont été conçues par ingénierie de bande à l'échelle quantique à partir du système de matériaux InAs/AlSb. Ces hétérostructures sont composées de 30 périodes de zone active, chacune constituée d'un injecteur à superréseau InAs/AlSb assurant le transport des porteurs vers des puits d'InAs où ont lieu les transitions radiatives. Ces transitions sont effectuées entre 2 niveaux électroniques et permettent d'atteindre des longueurs d'onde difficilement accessibles par des diodes à puits quantiques utilisant des recombinaisons à travers le gap du matériau des puits. La zone active est insérée entre des couches de confinement en InAs fortement dopé assurant le confinement de l'onde électromagnétique dans la zone de gain. Ce travail de thèse a porté sur la modélisation des propriétés optiques de l'InAs fortement dopé, le dessin de la zone active ainsi que sur les optimisations technologiques pour la réalisation de lasers performants émettant entre 3 et 5 µm