Elaboration de céramiques CaCu3Ti4O12 à haute constante diélectrique et réalisation de condensateurs "tout oxyde" par ablation laser pulsé / Virginie Brizé ; sous la direction de Monique Gervais

Date :

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 2006

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Diélectriques

Dépôt par laser pulsé

Céramique

Couches minces

Condensateurs céramiques

Résonance paramagnétique électronique

Gobillon-Gervais, Monique (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université de Tours (1971-....) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Elaboration de céramiques CaCu3Ti4O12 à haute constante diélectrique et réalisation de condensateurs "tout oxyde" par ablation laser pulsé / Virginie Brizé ; sous la direction de Monique Gervais / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2006

Résumé / Abstract : L'oxyde CaCu3Ti4O12 (CCTO) présente une permittivité élevée (~ 105) dans une large gamme de température (100-600K) et de fréquence (10HZ-1MHz). La première partie de cette étude est une tentative de dépôt de condensateurs "tout oxyde" à base de CCTO par ablation laser. Des fims épitaxiés de CCTO sur monocristal LaA1O3 (001) ont été obtenus après optimisation du frittage des cibles. LaSrNiO4 (LSNO) a servi d'électrode pour des condensateurs LSNO/CCTO/LSNO/LAO, structurés in situ par "shadow-masking". Afin de réduire la diffusion du lanthane et de cuivre et d'améliorer la qualité des interfaces avec l'électrode, une nouvelle électrode CaCu3Ru4O12 isostructural de CCTO a été développée. En parallèle, CCTO sous forme de poudre pure et dopée et de film a été étudié par RPE. Les résultats originaux sont d'importance pour la compréhension des mécanismes à l'origine des propriétés exceptionnelles de CCTO.

Résumé / Abstract : The oxide CaCu3Ti4O12 (CCTO) shows a very high permittivity (~ 105) in a large range of temperature (100-60K) and frequencies (10Hz-1MHz). A part of this study is an atttempt to deposit "all oxide" capacitors based on CCTO using the laser on CCTO using the laser ablation technique. At first, epitaxial films of CCTO were deposited on single crystal LaA1O3(100) (LAO) after optimisation of the target sintering. Capacitors LSNO/CCTO/LSNO/LAO with LaSrNiO4 (LSNO) as electrodes were then structured in-situ by shadow-masking. In an attempt to reduce the diffusion of La and Cu and to improve the quality interface with electrode, LSNO was replaced by CaCu3Ru4O12 which was isostructural of CCTO. In a second part, CCTO in the form of pure and doped powder and thin film was studied by electron spin resonance. New results are important to understand the mechanisms giving rise to the high permittivity value.