Défaillances électriques et défauts structuraux dans les dispositifs de puissance à base de silicium : une étude par microscopie électronique en transmission / Anouck Rivière-Jerome ; [sous la direction de] G. Vanderschaeve et C. Levade

Date :

Editeur / Publisher : [Toulouse] : [s.n.] , 2002

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Microscopes électroniques à transmission

Semiconducteurs -- Défauts

Levade, Colette (Directeur de thèse / thesis advisor)

Vanderschaeve, Guy (1944-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Institut national des sciences appliquées (Toulouse ; 1961-....) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Défaillances électriques et défauts structuraux dans les dispositifs de puissance à base de silicium : une étude par microscopie électronique en transmission / Anouck Rivière-Jerome ; [sous la direction de] G. Vanderschaeve et C. Levade / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002

Résumé / Abstract : Bien que les procédés de fabrication actuels des dispositifs électroniques aient considérablement réduit les densités de défauts cristallins, la miniaturisation des systèmes rend plus critique qu'auparavant l'incidence de ces défauts sur les performances électriques des composants et nécessite une meilleure compréhension de leurs propriétés. Notre objectif est de caractériser à l'échelle sub-micrométrique certains défauts structuraux du silicium générés par le procédé de fabrication des composants de puissance de technologie BICMOS issus des lignes de production de MOTOROLA S.A.S, dont la présence à une influence néfaste sur le fonctionnement des dispositifs. Associée aux techniques d'analyses de défaillances, la microscopie électronique en transmission (MET) représente un outil de choix dans la réalisation de cet objectif. Notre recherche s'est focalisée sur deux types de défauts : les lignes de glissement et les précipités de fer liés à une contamination accidentelle.

Résumé / Abstract : Although the actual integrated circuit fabrication process has significantly reduced crystal defect density, the systems miniaturization enhances defects impact on the electrical performance of devices and requires a better understanding of their properties.Our objective is to characterize, at the sub-micrometric scale, silicon structural defects generated by the fabrication process of BICMOS power devices coming from MOTOROLA S.A.S production lines which have a harmful influence on circuits work. Associated with failure analysis techniques, transmission electronic microscopy (TEM) is the key tool for our objective accomplishment. We focused our research on two kinds of defects: slip lines and iron precipitates due to an accidental contamination.