Hétérostructures métal magnétique - barrière tunnel pour l'injection de spin dans les semiconducteurs III-V : étude des propriétés d'interface du système Fe/Al0,48In0,52As(001) / Nicolas Tournerie ; [sous la dir. de] G. Jézéquel

Date :

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 2005

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Spin

Transport des électrons, Théorie du

Spectroscopie de photoélectrons

Kerr, Effet

Épitaxie par faisceaux moléculaires

Jézéquel, Guy (19..-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université de Rennes 1 (1969-2022) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Hétérostructures métal magnétique - barrière tunnel pour l'injection de spin dans les semiconducteurs III-V : étude des propriétés d'interface du système Fe/Al0,48In0,52As(001) / Nicolas Tournerie ; [sous la direction de] G. Jézéquel / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005

Résumé / Abstract : L'intégration d'hétérostructures magnétiques dans les dispositifs électroniques a permis de tirer profit du spin de l'électron pour aboutir à des progrès importants dans le domaine du stockage magnétique d'information. L'association de ces structures et des semiconducteurs constitue une perspective prometteuse en termes d'applications. Le principal prérequis à cette intégration est la maîtrise du transfert d'électrons polarisés en spin entre métal ferromagnétique et semiconducteur, fortement conditionné par les interfaces entre ces matériaux. Cette étude porte sur les propriétés de l'interface Fe/Al0,48In0,52As(001). Elle s'attache à analyser les caractéristiques structurales, magnétiques et électroniques en lien avec le transport d'électrons polarisés en spin. Les caractérisations de jonctions métal-barrière tunnel-semiconducteur ont permis de mettre en évidence l'influence déterminante de la physico-chimie d'interface sur le magnétisme et le transport électronique dans ces structures.