CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS DE LA FAMILLE BISRCACUO ET ETUDE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES / JEAN-BAPTISTE MOUSSY ; SOUS LA DIR. DE MICHEL LAGUES

Date :

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 1999

Format : 244 p.

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Laguës, Michel (1946-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université Pierre et Marie Curie (Paris ; 1971-2017) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS DE LA FAMILLE BISRCACUO ET ETUDE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES / Jean-Baptiste Moussy ; sous la direction de MICHEL LAGUES / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999

Résumé / Abstract : CE TRAVAIL PORTE SUR LA SYNTHESE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS DE LA FAMILLE BISRCACUO ET SUR L'ETUDE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES. LES COMPOSES ELABORES SE DIVISENT EN DEUX CATEGORIES : LES FILMS CONVENTIONNELS BI-22(N1)N AVEC N = 1, 2 OU 3 ET LES FILMS NON STCHIOMETRIQUES BI-2X212 ET BI-2X(21)Y2 OU LA SEQUENCE 2212 EST UTILISEE MAIS AVEC UNE REDUCTION DU TEMPS DE DEPOT DE L'ELEMENT BISMUTH. LES CONDITIONS D'UNE CROISSANCE BIDIMENSIONNELLE SONT OBTENUES PAR UN CONTROLE EN TEMPS REEL DE LA DIFFRACTION D'ELECTRONS RAPIDES (RHEED). LES FILMS SONT SYNTHETISES SUR LES SUBSTRATS SRTIO 3 (100) ET MGO (100). ILS SONT BIEN EPITAXIES DANS LE PLAN (A,B) ET PRESENTENT UNE FORTE TEXTURATION SUIVANT L'AXE C. LES ETUDES STRUCTURALES METTENT CEPENDANT EN EVIDENCE UN TAUX D'INTERCROISSANCE PLUS OU MOINS IMPORTANT DE PHASES 22(N 1)N DANS TOUS LES FILMS. L'ANALYSE DES SPECTRES DE DIFFRACTION X PERMET D'ESTIMER LE POURCENTAGE DE CES DIFFERENTES PHASES. UN MODELE BASE SUR LA PERCOLATION DES REGIONS 2212 REND COMPTE DE LA STRUCTURE DES FILMS 2X212 ET 2X(21)Y2. CES FILMS SONT SUSCEPTIBLES D'INCORPORER DAVANTAGE DE CUIVRE SANS QUE CELA N'AFFECTE LEUR MODE DE CROISSANCE BIDIMENSIONNEL. DES EXPERIENCES D'ABSORPTION X SONT REALISEES AFIN DE DETERMINER L'ENVIRONNEMENT LOCAL DU CUIVRE EN EXCES. LA PRESENCE D'OXYGENES APICAUX SUPPLEMENTAIRES EST MISE EN EVIDENCE. LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES FILMS SONT ENSUITE ETUDIEES. UNE ANALYSE DES TRANSITIONS RESISTIVES EST ENTREPRISE DANS LE CADRE DE PLUSIEURS MODELES THEORIQUES SELON LE DOMAINE DE TEMPERATURE CONSIDERE. LE DOPAGE DES FILMS EST DETERMINE PAR SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION X AU SEUIL L 3 DU CUIVRE. LES PREMIERES EXPERIENCES REPRODUCTIBLES DE SPECTROSCOPIE TUNNEL REALISEES SUR DES COUCHES MINCES DE 2212 SONT PRESENTEES. CES EXPERIENCES PERMETTENT DE MESURER LE GAP SUPRACONDUCTEUR ET DE METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE D'UN PSEUDO-GAP. NOUS SUGGERONS QUE CE PSEUDO-GAP EST DU AU DESORDRE STRUCTURAL DES FILMS.