Date : 2000
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : Le travail presente dans ce memoire s'articule autour de deux axes complementaires. Le premier repose sur la mise en place d'un banc de mesure hyperfrequence sous pointes pour la caracterisation entre 45mhz et 12ghz des composants passifs integres sur silicium les plus critiques, a savoir les lignes de transmission et inductances planaires. Cette partie, qui a mis en lumiere les parasites systematiques inherents a l'analyse vectorielle, a permis de doter le laboratoire d'un banc de mesure fiable et d'un algorithme de correction d'erreur et d'extraction automatique des modeles electriques des composants etudies. La deuxieme partie est consacree au developpement d'un outil numerique pour la prevision, avant meme leur fabrication, du modele electrique et des performances des passifs integres sur silicium, a partir de la seule connaissance de leur parametres geometriques et technologiques. La methode de calcul proposee s'appuie sur la combinaison d'outils 2d, plus rapides que leur version 3d, et tres bien adaptes aux structures quasi-planaires qui nous preoccupent. Par rapport a des methodes deja existantes, notre technique quasi-3d utilise une methode spectrale robuste ne se limitant pas aux substrats faiblement dopes des technologies bicmos ou soi, mais pouvant aussi etudier les substrats fortement conducteurs des technologies cmos standards. Appliquee a des echantillons de test varies, la procedure de caracterisation a permis la validation experimentale de l'outil de modelisation sur differents types de substrats, du plus isolant comme l'arseniure de gallium au plus conducteur d'une technologie silicium cmos, en passant par les wafers faiblement dopes des technologies soi et bicmos.