Date : 1999
Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 1999
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : Des revêtements durs réfractaires à caractère métallique (Cr-C-N) et ionique (Al2O3) (Al exponant 2 O exponant 3) ont été déposés par MOCVD sur divers substrats en acier. Les films Cr-C-N ont été déposés à basse température (300-520°C) à partir du précurseur moléculaire Cr(NEt2)4 (Cr(NEt exponant 2)exponant 4. Les caractéristiques physico-chimiques et structurales et les propriétés (dureté, résistivité électrique, rugosité) des films ont été analysées en fonction des conditions de dépôt. Un mécanisme de décomposition du précurseur Cr(NEt2)4 (Cr(NEt exponant 2) exponant 4) expliquant la grande labilité des groupements NEt2 (NEt exponant 2) qui est à l'origine de la faible teneur en azote des films a été proposé. Le travail présenté dans ce mémoire montre la bonne flexibilité et les potentialités des procédés MOCVD soit pour élaborer des phases originales, telle que Cr3(C,N)2 (Cr exponant 3 (C,N)exponant 2), soit pour être l'une des étapes d'un multi-procédé de fabrication (cas de Al2O3) (cas de Al exponant 2 O exponant 3).