Date : 1998
Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 1998
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Propagation de faisceau, Méthode de
Classification Dewey : 621.382 7
Résumé / Abstract : L'amplification du signal dans les systemes de telecommunications optiques est actuellement assure par des fibres dopees aux ions erbium. La realisation de structures integrees devrait permettre de reduire l'encombrement et le cout des composants tout en augmentant la complexite des fonctions realisees, elargissant ainsi le domaine d'application. Ce travail de these est base sur l'elaboration par voie sol-gel de guides d'ondes optiques actifs integres dans des matrices germanosilicates et aluminosilicates dopees aux ions erbium trivalents. Dans la phase initiale, nous avons mis au point un protocole d'elaboration permettant d'obtenir des guides d'ondes planaires d'epaisseur superieure au micron et exempts de craquelures. Afin de limiter les pertes optiques, nous avons montre la necessite d'un recuit jusqu'a 900 c pour elaborer des matrices amorphes et homogenes. L'analyse de l'emission de fluorescence autour de 1530 nm indique que les ions erbium incorpores dans les matrices sont disperses de maniere homogene. Neanmoins, la duree de vie de fluorescence mesuree dans les films germanosilicates dopes reste faible independamment de la concentration en erbium. La substitution du germanium par l'aluminium ameliore la solubilite des ions dans la matrice et augmente la duree de vie. Celle-ci reste cependant limitee par la presence des groupements residuels oh# dans le materiau final. La realisation de structures integrees a permis de mesurer un gain net de 1db/cm a 1530 nm pour une puissance de pompe de 50 mw a 980 nm. Le comportement de l'amplificateur est etudie avec un modele combinant l'evolution des populations des niveaux energetiques des ions et la propagation des faisceaux (b.p.m.-2d) et tenant compte des phenomenes de transfert d'energie entre les ions. Ce modele utilise comme outil de prediction permet egalement de degager les parametres pertinents en vue de l'amelioration des performances des composants.