Date : 1991
Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 1991
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : CE MEMOIRE TRAITE DES MECANISMES DE FORMATION PAR VOIE ELECTROCHIMIQUE DES COMPOSES CUTE ET AG#2TE. LE COMPORTEMENT ELECTROCHIMIQUE DES DIFFERENTS CONSTITUANTS SEULS OU EN MELANGE EST ETUDIE SUR ELECTRODE DE PLATINE OU DE CARBONE VITREUX. SUR ELECTRODE DE CARBONE VITREUX, LA REDUCTION DU TELLURE(IV) INTERVIENT PAR UN MECANISME AVEC TRANSFERT DE QUATRE ELECTRONS, CONDUISANT AINSI AU TELLURE ELEMENTAIRE. POUR DES POTENTIELS INFERIEURS A 0,6 V/ECS, IL Y A REDISSOLUTION CATHODIQUE DU TELLURE SOUS FORME DE TE-(II). ON OBTIENT ALORS, PAR REACTION AVEC LE TELLURE(IV), DU TELLURE CHIMIQUE DONT LA REDISSOLUTION INTERVIENT A DES POTENTIELS PLUS ANODIQUES QUE LE TELLURE ELECTROCHIMIQUE. DANS LE CAS DE SOLUTIONS CONTENANT DES IONS AG(I) OU CU(II) ET TE(IV), NOUS AVONS MONTRE QU'IL SE PRODUIT D'ABORD LA REDUCTION DES IONS ARGENT OU CUIVRIQUE. LA FORMATION DU TELLURURE D'ARGENT (OU DE CUIVRE) INTERVIENT PAR REDUCTION DU TELLURE(IV) SUR CES SITES. D'AUTRE PART, LA REDUCTION DE L'ACIDE TELLUREUX SUR UNE ELECTRODE TOTALEMENT OU PARTIELLEMENT RECOUVERTE D'ARGENT (OU DE CUIVRE) S'ACCOMPAGNE D'UN DEPLACEMENT DU POTENTIEL DE DEPOT VERS LES VALEURS PLUS ANODIQUES. NOUS DONNONS DANS CE TRAVAIL UNE METHODE D'ESTIMATION DE CE DEPLACEMENT SUR LA BASE DE DONNEES THERMODYNAMIQUES. UNE ELECTRODE DE PLATINE, PORTEE A UN POTENTIEL SUPERIEUR A 1,0 V/ECS, SE COUVRE EN SURFACE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE PLATINE, DONT LA REDUCTION, A +0,35 V/ECS ENVIRON, CONDUIT A DES SITES ACTIVES PT* JOUANT UN ROLE IMPORTANT DANS LES REACTIONS ULTERIEURES. IL APPARAIT AINSI, CONTRAIREMENT A CE QUI EST TRES SOUVENT ADMIS, QUE L'ELECTRODE DE PLATINE N'EST PAS PARFAITEMENT INERTE, A L'INSTAR DU CARBONE VITREUX