Elaboration et caractérisation de transistors MISFET sur InP / par Bruno Commère ; sous la direction de Stanislas Krawczyk

Date : 1988

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , 1988

Type : Livre / Book

Langue / Language : français / French

MIS (électronique)

Circuits intégrés

Transistors

Photoluminescence

Commère, Bruno (1962-....) (Auteur / author)

Krawczyk, Stanislaw (Directeur de thèse / thesis advisor)

École Centrale de Lyon (1857-....) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône) (Laboratoire associé à la thèse / thesis associated laboratory)

Résumé / Abstract : CETTE THESE CONCERNE LA PASSIVATION DE L'INTERFACE ISOLANT/INP DANS LES STRUCTURES MIS ET LE DEVELOPPEMENT D'UN PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTOR MISFET SUR INP. LES STRUCTURES SIN H/INP ONT ETE FABRIQUEES PAR PECVD AVEC UN PLASMA ENRICHI EN ARSINE. UN PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS MISFET-CANAL N A ENRICHISSEMENT A ETE REALISE. L'IMAGERIE DE PHOTOLUMINESCENCE A ETE UTILISE DE FACON SYSTEMATIQUE COMME OUTIL DE CONTROLE DE FABRICATION POUR OPTIMISER CERTAINES ETAPES CRITIQUES (RECUIT D'IMPLANTATION, GRAVURES) ET POUR TESTER L'UNIFORMITE ET LA REPRODUCTIBILITE DES OPERATIONS TECHNOLOGIQUES