CONCEPTION ET MISE AU POINT D'UN ANALYSEUR HEMISPHERIQUE EN VUE DE SPECTROSCOPIES D'ELECTRONS RESOLUES ANGULAIREMENT : CARACTERISATION D'INTERFACES SI/SIO::(2) ET SI/SIO::(X)N::(Y) OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE A FAIBLE ENERGIE / OUAHAB BENKHEROUROU ; sous la direction de CHARLES BURGGRAF ET JEAN-PAUL DEVILLE
Date : 1987
Editeur / Publisher : [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , 1987
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Deville, Jean-Paul (Directeur de thèse / thesis advisor)
Relation : CONCEPTION ET MISE AU POINT D'UN ANALYSEUR HEMISPHERIQUE EN VUE DE SPECTROSCOPIES D'ELECTRONS RESOLUES ANGULAIREMENT : CARACTERISATION D'INTERFACES SI/SIO::(2) ET SI/SIO::(X)N::(Y) OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE A FAIBLE ENERGIE / Ouahab Benkherourou ; sous la direction de Charles Burggraf Et Jean-Paul Deville / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1987
Résumé / Abstract : DANS LA REGION INTERFACIALE, ON RETROUVE TOUTES LES CONFIGURATIONS POSSIBLES DE LIAISONS AUTOUR DU TETRAEDRE DE SI. LES PROFILS DE CONCENTRATION DE CES ESPECES DIFFERENT SELON QUE L'ON FAIT L'OXYDATION OU L'OXYNITRURATION. LA DISTRIBUTION DE CES ESPECES A L'INTERFACE SUIT LE MODELE THEORIQUE R.B.M. (RANDOM BONDING MODEL). CE MODELE PERMET DE COMPRENDRE LA MORPHOLOGIE DE L'INTERFACE ET DONC D'ETABLIR LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES ENTRE LES DIFFERENTS ATOMES (SI-O-SI ET SI-N-SI)