IMPLANTATION IONIQUE D'ACCEPTEURS DANS LE PHOSPHURE D'INDIUM : CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES / JEAN-MICHEL ROQUAIS ; sous la direction de RENE GRANGER

Date :

Editeur / Publisher : [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , 1986

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Institut national des sciences appliquées de Rennes (1961-....) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : IMPLANTATION IONIQUE D'ACCEPTEURS DANS LE PHOSPHURE D'INDIUM : CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES / Jean-Michel Roquais ; sous la direction de Rene Granger / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1986

Résumé / Abstract : ETUDE DU DOPAGE P**(+) DANS INP PAR IMPLANTATION D'ACCEPTEURS PEU PROFONDS: BE, MG, ZN, HG. CARACTERISATION DU DESORDRE CREE PAR DIFFUSION RAMAN; ETUDE AU DEGRE DE RECRISTALLISATION APRES RECUIT D'IMPLANTATION. ETUDE PAR EMISSION PHOTOELECTRONIQUE RX D'UNE CONTAMINATION DE SURFACE. DETERMINATION DE PROFILS D'IMPURETES. LES PROFILS DE CONCENTRATION DE PORTEURS ONT ETE ANALYSES PAR EFFET HALL ET MESURES ELECTROCHIMIQUES. ETUDE DU COEFFICIENT DE DIFFUSION DU ZINC PAR LA METHODE DE BOLTZMANN-MATANO