Analyse des mécanismes d'élaboration de couches minces par pulvérisation ionique / Claude Pellet ; [sous la direction de] G. Gautherin

Date : 1985

Editeur / Publisher : [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 1985

Type : Livre / Book

Langue / Language : français / French

Ions

Gaz rares

Rétrodiffusion

Pellet, Claude (1958-.... ; professeur en électronique) (Auteur / author)

Gautherin, Guy (19..-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université Paris-Sud (1970-2019) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (Autre partenaire associé à la thèse / thesis associated third party)

Institut d'électronique fondamentale (Orsay, Essonne ; 19..-2016) (Laboratoire associé à la thèse / thesis associated laboratory)

Résumé / Abstract : Cette thèse présente l'étude des phénomènes physiques mis en jeu lors de la réalisation de couches minces par pulvérisation ionique. L'étude des lobes d'émission des différentes espèces a montré que le silicium était pulvérisé selon une loi en cos², que le dopant était transféré de la cible avec un rendement constant (de l'ordre de 50 % pour le bore) quelle que soit la direction d'émission. En ce qui concerne la principale impureté présente dans les dépôts selon cette technique, c'est-à-dire le gaz rare constituant le faisceau d'ions primaires, le travail réalisé a montré que son incorporation résultait en grande partie de la rétrodiffusion multiple des ions primaires sur la cible. L'effet, sur les qualités cristallines et les propriétés électriques des dépôts, de l’arrivée sur la couche en croissance de tels atomes, ainsi que des ions secondaires émis par la cible, est ensuite discuté. Enfin, il a été montré que la pollution des couches par des particules métalliques, souvent observée avec les techniques de pulvérisation, peut être maitrisée.

Résumé / Abstract : The aim of this thesis is the study of underlying physical phenomena of thin film growth by ion beam sputter deposition. The study of angular distribution of the different species has been carried out. It has been found that sputtered silicon is emitted according to a cos² law. Whatever is the emission direction, the dopant was found to be transfered from target to the film with constant efficiency (50 % in the case of boron). In ion beam sputter deposition the major impurity in the film are the rare gas atoms. Our work show that their incorporation result in a backscattered process at the target. The effect of arrival on the film of such particles and a secondaries ions emitted from the target, is also discussed, especially on cristalline quality and electrical properties. Finally, it is shown that pollution by metallic impurities, often mentioned in sputtering experiment, could be controlled.