Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs / par Areski Belache ; [sous la direction de] André Vanoverschelde

Date :

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , [1989]

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Transistors à effet de champ

Classification Dewey : 621.381 528 4

Vanoverschelde, André (19..-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université Lille 1 - Sciences et technologies (Villeneuve-d'Ascq ; 1970-2017) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs / par Areski Belache ; [sous la direction de] André Vanoverschelde / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1989

Résumé / Abstract : Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.