Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs / par Areski Belache ; [sous la direction de] André Vanoverschelde
Date : 1989
Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , [1989]
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Transistors à effet de champ
Classification Dewey : 621.381 528 4
Relation : Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs / par Areski Belache ; [sous la direction de] André Vanoverschelde / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1989
Résumé / Abstract : Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.