Date : 1991
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : La realisation en ejm d'heterojonctions a base de cmt a necessite la reprise d'une etude detaillee de la croissance de ce materiau suivant l'orientation (111). La presence d'une couche adsorbee de tellure a la surface du materiau en croissance semble jouer un role majeur dans le controle de la qualite cristalline. Les efforts entrepris pour controler la croissance et mettre en place une modelisation quantitative nous ont permis d'etudier les principaux effets parasites rencontres en ejm de cmt. La mise en place d'innovations technologiques importantes a permis d'en reduire certains effets. Le dopage in de cmt par croissance sous flux de dopant a ete etudie. Des dopages de quelques 10#1#8 cm##3 avec une activite de pres de 100% ont ete obtenus. Les dispersions constatees sur l'incorporation et l'activite de l'indium proviendraient d'un effet de segregation dependant du taux de couverture en tellure lors de l'epitaxie. Le phenomene d'activation apres recuit sous mercure a ete observe. L'interpretation de cet effet a partir de la formation d'in2te3 semble valide. Pour la realisation du dopage p dans les heterojonctions, le dopage intrinseque du aux lacunes de hg a ete utilise. Afin d'obtenir des dopages assez importants, nous avons mis en place une procedure de recuit in-situ apres epitaxie en mettant a profit la connaissance des phenomenes rencontres en croissance de cmt. Sur le plan des dispositifs la connaissance du materiau et les efforts de modelisation ont permis l'obtention de structures aux caracteristiques electro-optiques performantes