Date : 1992
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : La piezo-magneto-resistivite d'echantillons massifs de si:b et de couches minces de si:b deposees sur du si dans le regime du transport par sauts consecutifs par le voisin le plus proche est mesuree. Une methode standard est utilisee pour appliquer une contrainte positive (pression) ou negative (tension), x, aux couches minces. Le champ magnetique, b, est perpendiculaire ou parallele a la contrainte. L'ensemble des donnees experimentales obeissent a la regle de symetrie suivante: le comportement general de la resistivite en fonction de x pour b perpendiculaire a x est le meme que le comportement general de la resistivite pour b parallele a x, exprimee en fonction de x. Cette symetrie est le reflet de la symetrie de l'ecartement des niveaux les plus peuples de l'etat de l'accepteur avec x et b. La resistivite peut etre decomposee en un facteur exponentiel contenant l'energie d'activation et un prefacteur. L'evolution de la resistivite avec x et b est expliquee par la variation de la probabilite de transition entre les composantes de l'etat accepteur. Celle-ci est attribuee (1) a la variation de la position relative des niveaux d'energie avec x et b; (2) a la variation des elements de matrice des transitions avec b; (3) a l'anisotropie de la fonction d'onde et a la complementarite spatiale de leurs composantes qu'elle implique. Nous rapportons que la valeur du parametre t, qui decrit l'action de b sur la fonction d'onde, est superieure a 0,1 pour le si:b, donc 3 plus eleve que la valeur prevue par la theorie et 6 fois plus elevee que la valeur pour le ge de type p