Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale / par Jacques Verdier ; sous la direction de Olivier Llopis

Date :

Editeur / Publisher : [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , [1997]

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Llopis, Olivier (19..-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université Toulouse 3 Paul Sabatier (1969-....) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Collection : Rapport LAAS / Laboratoire d'automatique et d'analyse des systèmes, [puis] Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes / Toulouse : Laboratoire d'automatique et d'analyse des systèmes du CNRS , 1986-...

Relation : Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale / par Jacques Verdier / Villeurbanne : [CCSD] , 2005

Relation : Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale / par Jacques Verdier ; sous la direction de Olivier Llopis / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1997

Résumé / Abstract : L'objectif du travail presente dans ce memoire est de definir une methode rigoureuse de conception d'oscillateurs a faible bruit de phase a base de transistors a effet de champ (mesfet, hemt et hemt pseudomorphique) dans le cas ou le transistor et le resonateur sont simultanement refroidis a des temperatures cryogeniques. Dans une premiere partie, nous presentons une caracterisation electrique complete des differents types de tec a la temperature de l'azote liquide. Nous insistons particulierement sur les mecanismes de piegeage-depiegeage sur des centres profonds et nous proposons une methode permettant de s'affranchir du phenomene de collapse qui est l'inconvenient majeur au fonctionnement du composant refroidi. Nous avons pu alors, a partir de mesures de parametres s et impulsionnelles, extraire un modele fort signal pour chaque transistor. Dans une deuxieme partie, nous etudions les mecanismes de conversion du bruit basse frequence en bruit de phase dans les oscillateurs a base de tec. Nous examinons tout d'abord l'influence du signal microonde sur l'amplitude et la forme des spectres de bruit basse frequence. Nous analysons ensuite les fluctuations de frequence de l'oscillateur a partir du produit du bruit basse frequence du tec et du facteur de pushing. L'incapacite de cette methode pour des tensions de polarisation de grille ou le facteur de pushing decroit jusqu'a la valeur nulle est alors clairement montre. En consequence, nous presentons un nouveau modele non-lineaire de tec utilisant deux sources de bruit non correlees rendant compte des effets distribues le long de la region active du composant. La derniere partie de ce memoire est consacree a la realisation et a la caracterisation d'un oscillateur cryogenique a base de tec