Conduction électrique dans les couches minces polysilicium implantées bore et dans les couches d'inversion à potentiel modulé / par Abdelmajid Almaggoussi

Date :

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , [1991]

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Silicium cristallisé

Semiconducteurs dopés

Bore

Dispositifs à couches minces

Recuit des cristaux

Joints de grains

MOS (électronique)

Hall, Effet

Faisceaux électroniques

Conduction électrique

Robert, Jean-Louis (1937-.... ; auteur en physique) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université des sciences et techniques de Montpellier 2 (1970-2014) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Conduction électrique dans les couches minces polysilicium implantées bore et dans les couches d'inversion à potentiel modulé / par Abdelmajid Almaggoussi / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1991

Résumé / Abstract : LE MANUSCRIT EST DIVISE EN DEUX PARTIES: 1) LA PREMIERE PARTIE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES POLYSILICIUM IMPLANTEES BORE ET RECUITES SOIT DE FACON CONVENTIONNELLE (RTC), SOIT DE FACON RAPIDE (RR). CETTE ETUDE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE DE JOINTS DE GRAIN ELECTRIQUEMENT INACTIFS DANS LE CAS DU RECUIT RAPIDE ISOTHERME; 2) LA DEUXIEME PARTIE PRESENTE UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS MOS-HALL IRRADIES AUX ELECTRONS. L'IRRADIATION A ETE FAITE SUIVANT UN RESEAU DE TRAITS PARALLELES ET PERPENDICULAIRES A LA DIRECTION DRAIN-SOURCE DE FACON A OBTENIR UN PROFIL DE POTENTIEL PROCHE DE CELUI DU MATERIAU POLYCRISTALLIN IDEALISE. CETTE ETUDE A CONSTITUE UNE APPROCHE QUANTITATIVE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS POLYCRISTALLINS