Étude de la restructuration de couches de silicium désordonné par implantation ionique : effet du recuit thermique sur les propriétés électriques et structurales / Jumana Said ép. Boussey ; sous la direction de Gérard Ghibaudo

Date :

Type : Livre / Book

Type : Thèse / Thesis

Langue / Language : français / French

Ghibaudo, Gérard (19..-.... ; auteur en électronique) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Institut national polytechnique (Grenoble ; 1900-....) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales / Jumana Said-Boussey / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1990

Résumé / Abstract : Dans ce travail, nous nous sommes interesses aux mecanismes de restructuration de couches de silicium fortement endommagees par l'implantation a l'arsenic. Les echantillons caracterises ont ete elabores a partir d'un substrat de silicium <100> de type p bombarde, a la temperature ambiante, avec un faisceau d'ions d'arsenic accelere a 200 kev. En faisant varier la dose d'implantation, nous avons pu mettre en evidence, a l'aide de la microscopie electronique, la transition cristal-amorphe lorsque la dose d'implantation est superieure a la dose critique d'amorphisation. La combinaison de plusieurs methodes de caracterisation electriques et physiques nous a permis d'etudier l'effet du recuit thermique post-implantation sur les proprietes electriques et structurales de ce materiau. La correlation des resultats issus de ces differentes methodes a rendu possible la mise en evidence d'un phenomene d'activation electrique des impuretes apres recuit a basse temperature intervenant independamment de la recristallisation de la couche amorphe. L'analyse detaillee de ce phenomene a demontre qu'il se produit par un processus de relaxation locale caracterisee par une faible energie d'activation. L'etude de l'effet du recuit thermique sur les proprietes structurales des couches de silicium desordonne a permis de conclure que la migration des defauts ponctuels et de leurs complexes est a l'origine de la relaxation locale