Date : 1990
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : Le transistor a base permeable (tbp) est un dispositif electronique dont la principale caracteristique est une base metallique enterree dans un substrat semi-conducteur. Cette these presente la premiere realisation de tbp silicium entierement compatible avec des procedes de fabrication de dispositif mos (metla-oxyde-semiconducteur). Cette compatibilite est obtenue au moyen d'une technologie tranchees. Un siliciure autoaligne est utilise, formant avec le semi-conducteur un contact de type schottky (la base), et un contact ohmique (l'emetteur). La premiere generation de dispositifs de largeur de grille legerement submicronique, a permis d'effecteur des mesures hyperfrequence qui ont donne des frequences de coupure de l'ordre du ghz. Nous avons ensuite defini une seconde generation de transistors, de largeur de grille egale a 0,3 m, et directement testables (en statique et en dynamique) sans report de contact. Nous avons obtenu une frequence maximum de 3 ghz, resultat essentiellement limite par la capacite tres importante de la diode base-collectedur. Ces mesures permettent de remonter aux parametres du dispositif intrinseque et d'extrapoler une frequence maximum de 26 ghz