Date : 1990
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Couches minces -- Propriétés électroniques
Résumé / Abstract : Des couches ultra-minces de silice ont ete preparees par oxydation anodique du silicium dans l'eau pure, a temperature ambiante. Des capacites mos mettant en jeu de tels oxydes ont ete realisees en utilisant les techniques conventionnelles de la microelectronique. Afin d'etudier les proprietes de ces structures et l'influence de la temperature de recuit, nous avons utilise les differentes techniques de caracterisation telles que l'analyse des courbes c(v) quasi statique ou la methode de la conductance. Les resultats obtenus montrent de facon convaincante que l'oxydation anodique permet d'obtenir des oxydes minces ayant de bonnes proprietes electriques a partir de 600#oc. Aux champs forts la conduction est dominee par le mecanisme tunnel de fowler-nordheim. La valeur de la hauteur de barriere a l'interface al/sio#2 obtenue apres correction de l'effet schottky est de 3,1 ev. L'etude de la vitesse de dissolution de l'oxyde anodique dans hf a mis en evidence la structure poreuse des oxydes anodiques et l'effet de restructuration et densification qui accompagne la phase de recuit