Date : 1989
Editeur / Publisher : [Montpellier] : Atelier duplication [U.S.T.L.] , [1989]
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : DES EXPERIENCES DE TRANSPORT SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE ONT ETE REALISEES SUR DES ECHANTILLONS DE HGCDTE ET HGZNTE. LES ECHANTILLONS DE HGCDTE ETUDIES SONT DE TYPE N ET ELABORES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JET MOLECULAIRE SUR SUBSTRAT GAAS/CDTE, ET DOPE A L'INDIUM, LORS DE LA CROISSANCE. LES EXPERIENCES ONT ETE REALISEES A LA TEMPERATURE DE L'HELIUM LIQUIDE, DANS LA GAMME DE CHAMP 0-5 TESLA SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE JUSQU' 11 KBAR. POUR TOUS LES ECHANTILLONS ETUDIES, LA DENSITE D'ELECTRONS ETAIT INDEPENDANTE DE LA PRESSION. L'AUGMENTATION DE LA RESISTIVITE MESUREE EN FONCTION DE LA PRESSION PEUT ETRE INTERPRETEE EN TERME DE DIMINUTION DE LA MOBILITE ELECTRONIQUE DUE A LA NON PARABOLICITE DE LA BANDE DE CONDUCTION. LES AUTEURS CONCLUENT QUE CE PROCESSUS DE DOPAGE N'INDUIT PAS DE NIVEAU RESONNANT COMME PREVU POUR LES ECHANTILLONS IMPLANTES AU BORE. L'AUTEUR UTILISE LES MEMES TECHNIQUES EXPERIMENTALES POUR L'ETUDE DES ECHANTILLONS DE HGZNTE ELABORES PAR LA TECHNIQUE T.H.M. CE MATERIAU (A GAP OUVERT) EST A MOBILITE ELEVEE (=1.510#6 CM#2/VS). NEANMOINS LE COMPORTEMENT EN PRESSION REVELE L'EXISTENCE A CHAMP MAGNETIQUE NUL ET A FORT CHAMP MAGNETIQUE DE DEUX NIVEAUX D'IMPURETES. I) UN NIVEAU RESONNANT, DE DENSITE 2.10#UD#U#1#5 CM##3. CE NIVEAU EST LOCALISE A UNE TRENTAINE DE MEV AU-DESSUS DU MINIMUM DE LA BANDE DE CONDUCTION. II) LE SECOND NIVEAU PEUT ETRE ASSOCIE A UN NIVEAU HYDROGENOIDE SITUE EN ENERGIE DANS LA BANDE DE CONDUCTION A CHAMP NUL. FINALEMENT, L'AUTEUR ETUDIE HGTE ELABORE PAR UNE TECHNIQUE DE CROISSANCE NOUVELLE: LA CROISANCE SOUS HAUTE PRESSION. LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES ONT ETE DETERMINEES ENTRE LA TEMPERATURE AMBIANTE ET LA TEMPERATURE DE L'HELIUM. LES ECHANTILLONS PRESENTENT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES. CES RESULTATS SONT PROMETTEURS POUR LE DEVELOPPEMENT DE CETTE NOUVELLE TECHNIQUE D'ELABORATION