Passivation de InP par sulfuration plasma HF pour la formation de l'isolant de grille d'un transistor MISFET / par Michel Gendry

Date : 1987

Editeur / Publisher : [S.l.] : [s.n.] , [1987]

Type : Livre / Book

Langue / Language : français / French

Transistors

Isolants

Chimie des surfaces

Circuits intégrés -- Passivation

Technique des plasmas

Phosphure d'indium

Gendry, Michel (1955-....) (Auteur / author)

Cot, Louis (19..-....) (Directeur de thèse / thesis advisor)

Université des sciences et techniques de Montpellier 2 (1970-2014) (Organisme de soutenance / degree-grantor)

Relation : Passivation de InP par sulfuration plasma HF pour la formation de l'isolant de grille d'un transistor MISFET / par Michel Gendry / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1987

Résumé / Abstract : ON UTILISE LA SULFURATION ASSISTEE PAR PLASMA HF POUR LA PASSIVATION DU INP A BASSE TEMPERATURE CAR L'INTERFACE N'EST THERMOCHIMIQUEMENT STABLE QUE SI ELLE EST FORMEE AU DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE 315**(O)C. ON DEMONTRE LE CARACTERE DUALISTE DES MECANISMES DE CROISSANCE ET DE BOMBARDEMENT IONIQUE D'UNE COUCHE DE SULFURE AU CONTACT D'UNE DECHARGE ELECTROLUMINESCENTE DE H::(2)S. DES MODELES, RESULTANT DE CARACTERISATIONSPAR SPECTROSCOPIE XPS, ELLIPSOMETRIE, ECT., SONT PROPOSES POUR RENDRE COMPTE DE LA COMPOSITION DES COUCHES DE SULFURE FORMEES EN FONCTION DES CONDITIONS DE PLASMA HF DE H::(2)S. ON ETUDIE LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SULFURE PLASMA INP SUR DES STRUCTURES MIS EN VUE DE LA REALISATION DE TRANSISTORS MISFET-INP