Date : 1996
Type : Livre / Book
Type : Thèse / ThesisLangue / Language : français / French
Résumé / Abstract : CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES MECANISMES D'INSERTION D'IONS LITHIUM DANS DES COUCHES MINCES DE TIO#2 ET TIO#2-CEO#2 ELABOREES PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF MAGNETRON. LA PREMIERE PARTIE DECRIT L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION DES FILMS (PUISSANCE, PRESSION, COMPOSITION DU PLASMA, TEMPERATURE DE SUBSTRAT). POUR TIO#2 LA TAILLE DES CRISTALLITES (ANATASE) EST CONTROLEE PAR LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. LES CARACTERISATIONS PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS SONT REALISEES PAR MET, MEB, MICRO-DIFFRACTION D'ELECTRONS, DX, SPECTROSCOPIES IR ET RAMAN ET RBS. UN PROGRAMME DE SIMULATION DES REPONSES OPTIQUES DE SYSTEMES MULTI-COUCHES PERMET DE RELIER LE DESORDRE STRUCTURAL DES COUCHES PREPAREES SUR SUBSTRAT NON CHAUFFE A LA PRESENCE D'UNE FORTE DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES REPONDANT A UNE DISTRIBUTION DE TYPE QUEUE D'URBACH. LES MEILLEURES PERFORMANCES ELECTROCHIMIQUES SONT OBTENUES A FAIBLE PUISSANCE, FORTE PRESSION ET SOUS PLASMA D'OXYGENE. LA SECONDE PARTIE CONCERNE LA DETERMINATION DES PROCESSUS D'INSERTION ET DE DESINSERTION DANS TIO#2 (POUR DIFFERENTES TAILLES MOYENNES DES CRISTALLITES DE STRUCTURE ANATASE) ET CE#0#.#1TI#0#.#9O#2 AMORPHE PAR SPECTROPHOTOMETRIE ET PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE. DANS AUCUN CAS NOUS N'AVONS OBSERVE D'EFFETS ATTRIBUABLES A DES OSCILLATIONS PLASMA D'ELECTRONS LIBRES. POUR TIO#2 (ANATASE), L'INSERTION S'ACCOMPAGNE D'UNE ABSORPTION OPTIQUE CENTREE A 1,65EV, REVERSIBLE EN DESINSERTION ET EXPLIQUEE EN TERMES DE PETIT POLARON ; LES VARIATIONS DU COEFFICIENT D'ABSORPTION SUIVENT UNE LOI DE TYPE BEER-LAMBERT. LES FILMS DE TIO#2 LES MIEUX CRISTALLISES SE DISTINGUENT PAR DES REPONSES ELECTROCHIMIQUES ET OPTIQUES SYMETRIQUES EN INSERTION/DESINSERTION ALORS QUE LES AUTRES FILMS PIEGENT UNE QUANTITE DE CHARGE, OPTIQUEMENT INEFFICACE, DONT L'IMPORTANCE DECROIT DE CYCLE EN CYCLE. POUR CE#0#.#1TI#0#.#9O#2 AMORPHE, L'ACCESSIBILITE AUX SITES CE CONTRIBUE A LA DECOLORATION DES FILMS AUX HAUTES ENERGIES (OCCUPATION DES ETATS 4F DE CE). A PARTIR DE CES RESULTATS ET DE MESURES PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE SUR ITO/<R>/AL (PROCESSUS ELECTRONIQUES) ET ITO/<R>/ELECTROLYTE/LI (PROCESSUS ELECTROCHIMIQUES) UN MECANISME D'INSERTION ORIGINAL EST PROPOSE, ADAPTABLE A D'AUTRES MATERIAUX EN AJUSTANT LE MODE DE PREPARATION POUR FAVORISER UNE CONDUCTIVITE IONIQUE SUFFISANTE